Японская компания Toshiba объявила о начале массового производства первых в мире модулей памяти, изготовленных по 15-нанометровому технологическому процессу. Первыми моделями станут 128 Гигабитные (16 Гб) микросхемы NAND флэш-памяти, которые будут производиться на фабрике Toshiba – Fab 5 в городе Йоккаити.

Их производство намечено компанией на конец этого месяца. Данные модули заменят модули памяти второго поколения, изготовленных по 19-нм технологическому процессу. Новые чипы обеспечат аналогичную скорость записи, что и предыдущее поколение, но при этом будет увеличена скорость передачи данных в 1,3 раза – до 533 Мбит/с. Основное предназначение представленных модулей памяти – смартфоны и планшеты. Впоследствии планируется расширить их применение и в ноутбуках после разработки соответствующего контроллера, совместимого с твердотельными накопителями (SSD).