В следующем году возможно появление смартфонов с 4 ГБ оперативной памяти. Компания Samsung представила первый промышленный энергоэффективный мобильный модуль DRAM памяти на 8 гигабит соответствующим стандарту LPDDR4. Модуль выполнен по 20-нм техпроцессу и в одном чипе имеется 1 ГБ памяти. Это позволяет говорить о достижении наивысшей плотности в DRAM компоненте. Кроме того представители Samsung утверждают, что им удалось добиться не только высокой производительности, но и при этом высоких показателей энергоэффективности.

Четыре 8-гигабитных чипа могут образовать один модуль на 4 ГБ LPDDR4, что позволит разместить в смартфоне или другом устройстве 4 ГБ оперативной памяти. Такие модули позволят в новом поколении устройств получить более быструю работу приложений, большее разрешение экрана и большее время работы от аккумулятора. Новый Low Voltage Swing Terminated Logic (LVSTL) I/O интерфейс обеспечивает скорость передачи данных до 3200 Мбит/с, что вдвое выше, чем у 20-нм LPDDR3 DRAM. Это также на 50% большая производительность, чем у лучших образцов DDR3. При этом при напряжении в 1,1В чип потребляет на 40% меньше энергии.