По данным корейской газеты ETNews, ссылающейся на источники внутри компании Samsung, будущий флагман Galaxy S6 получит NAND-память нового поколения. Технология производства такой памяти известна как UFS 2.0. UFS расшифровывается как Universal Flash Storage (универсальный флеш-накопитель), а ее главным преимуществом должны стать высокие скорости чтения, близкие к современным SSD-накопителям, но при этом сам модуль изготавливается как втрое более медленная eMMC память, со скоростью передачи данных до 1,2 ГБ/с. Потребление энергии будет ниже, чем у eMMC модулей, что позволит избежать быстрого разряда и перегрева аккумулятора. Сообщается, что расход энергии примерно вдвое ниже, чем у eMMC 5.0.



Стандарт UFS 2.0 был создан в Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) по инициативе Samsung, Nokia и Micron в 2007 году, позднее к разработке памяти этого вида подключились Toshiba и SK Hynix. Серийное производство UFS 2.0 памяти должно стартовать на заводах Samsung в ближайшие недели. Но смартфоны корейского производителя могут оказаться не уникальным решением на рынке. Об использовании нового поколения NAND памяти заявила и китайская компания Xiaomi. Кроме того, компания Samsung намерена постепенно заменить на UFS 2.0 чипы модули памяти внутри карт SD и microSD форматов.