Компания Samsung Electronics представила первый твердотельный накопитель (SSD), использующий асинхронную DDR NAND флэш-память. Новый диск, объемом 512 Гб, со слов компании, обеспечивает высокую производительность и надежность, и предназначен для использования в первую очередь в ноутбуках премиум класса.

Новинка использует 32-гигабитные микросхемы флэш-памяти NAND на основе технологии многоуровневых ячеек, изготовленных по 30-нм техпроцессу с асинхронным DDR интерфейсом. В данном SSD диске используется интерфейс SATA 3.0Gbps, обеспечивающий максимальную последовательную скорость чтения данных – до 250 Мб/сек и до 220 Мб/сек – при записи, что в три раза показатели превышает показатели обычных жестких дисков.

Компания планирует начать массовое производство SSD на основе асинхронной DDR NAND флэш-памяти в следующем месяце. Продуктовая линейка новых дисков будет представлена моделями от 64 до 512 Гб.